Persamaan Transistor D998 B778 ✓

The D998 (2SD998) and B778 (2SB778) are a popular pair of complementary silicon power transistors, often found in the output stages of audio amplifiers and car audio systems. Key Specifications

Karena Vceo hanya 120V, transistor ini sebenarnya dikategorikan sebagai transistor tegangan menengah, bukan tegangan tinggi. Ini penting karena jika Anda menggantinya dengan transistor tegangan terlalu tinggi (misal 250V) tanpa penyesuaian bias, suara bisa menjadi kasar. Persamaan Transistor D998 B778

Saat mengganti transistor final amplifier, ikuti aturan praktis berikut: D998 datasheet PDF – Power Transistors | Savantic The D998 (2SD998) and B778 (2SB778) are a

package, which features a large metal surface area or tab to be bolted onto a heatsink for efficient cooling. AliExpress Persamaan (Equivalent Substitutes) Polaritas (NPN vs PNP) harus cocok

Best Modern Replacements:

| NPN Equivalent | PNP Equivalent | Notes | | :--- | :--- | :--- | | 2SC5200 | 2SA1943 | Very popular; slightly lower Vceo (140V vs 160V) but acceptable for most amps. Higher ft (30 MHz), 150W, 15A. Toshiba. | | MJL4281A | MJL4302A | Superior performance; 230V, 230W, 15A. Requires checking if original circuit voltage is <160V. Onsemi. | | NJW0281G | NJW0302G | Direct upgrade; 250V, 150W, 15A. Excellent SOA. Onsemi. | | 2SC3858 | 2SA1494 | Japanese standard; 200V, 200W, 17A. Slightly larger but very robust. Sanken. |

Persamaan transistor D998 B778 adalah sebagai berikut:

• Polaritas (NPN vs PNP) harus cocok.
• Vce(max) ≥ tegangan maksimum rangkaian plus margin keamanan (1.5–2× pada aplikasi beban induktif).
• Ic(max) dan Pd harus memenuhi arus puncak dan disipasi panas.
• hFE pada arus operasi harus berada dalam rentang yang memungkinkan bias yang stabil.
• Frekuensi transisi (fT) dan kapasitas parasitik jika bekerja pada frekuensi tinggi.
• Kemampuan termal dan resistansi termal paket untuk aplikasi daya.

These transistors are known for their high voltage and current handling, making them ideal for driving speakers in Class AB push-pull configurations. Specification D998 (NPN) B778 (PNP) Type NPN Silicon PNP Silicon Max Collector-Emitter Voltage ( VCEOcap V sub cap C cap E cap O end-sub ) Continuous Collector Current ( ICcap I sub cap C ) Power Dissipation ( PCcap P sub cap C ) DC Current Gain ( hFEh sub cap F cap E end-sub ) 55 – 160 55 – 160 Package Type TO-3P / TO-3PML TO-3P / TO-3PML 2SB778 PNP Transistor Specifications | PDF - Scribd